功率 MOSFET IQDH45N04LM6CGSC 具有 0.45 mOhm 的低 RDS(on)，同時具有出色的熱性能，便于管理功率損耗。中心柵基底面針對并行化進行了優(yōu)化。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率提高了五倍。

這就為各種終端應(yīng)用提供了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。

產(chǎn)品屬性（IQDH45N04LM6CGSC）

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-WHTFN-9

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 611 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 490 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.3 V

Qg-柵極電荷: 62 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 333 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

配置: Single

下降時間: 14 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 185 S

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時間: 6 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 49 ns

典型接通延遲時間: 9 ns

應(yīng)用領(lǐng)域（IQDH45N04LM6CGSC）

低壓驅(qū)動

電動工具

電信基礎(chǔ)設(shè)施

服務(wù)器電源

計算和數(shù)據(jù)存儲

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