N通道IPD35N10S3L26ATMA1 100V汽車級MOSFET晶體管 TO-252-3

規(guī)格

晶體管極性： N-溝道

通道數(shù)： 1個通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：100V

Id - 連續(xù)漏極電流：35 A

Rds On - 漏極-源極電阻：20 mOhms

Vgs - 柵極源電壓：- 20 V，+ 20 V

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：1.2 V

Qg - 柵極電荷： 39 nC

最低工作溫度：- 55 C

最高工作溫度： + 175 C

Pd - 功率耗散： 71 W

通道模式： 增強型

產(chǎn)品說明

IPD35N10S3L26ATMA1是OptiMOS?-T功率晶體管，優(yōu)化了總柵極電荷，可用于較小的驅(qū)動輸出級。

特點

N溝道 - 增強模式

100%雪崩測試

175°C工作溫度

最大電流可達180A

MSL1峰值返回溫度高達260°C

低開關功率和傳導功率損耗，熱效率高

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