IMBG65R163M1HXTMA1 SMD緊湊型封裝SiC MOSFET，CoolSiC? MOSFET技術(shù)通過最大限度地利用碳化硅的強(qiáng)大物理特性，增強(qiáng)了器件性能、堅固性和易用性的獨特優(yōu)勢。

IMBG65R163M1HXTMA1的產(chǎn)品屬性

晶體管類型： N-溝道

技術(shù)： SiCFET (碳化硅)

漏極至源極電壓（Vdss）： 650 V

電流 - 連續(xù)漏極（Id） @ 25°C： 17A (Tc)

驅(qū)動電壓（最大Rds On，最小Rds On）： 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 217mOhm @ 5.7A, 18V

Vgs(th)（最大）@ Id： 5.7V @ 1.7mA

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Vgs： 10 nC @ 18 V

Vgs（最大）： +23V，-5V

輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds： 320 pF @ 400 V

功率耗散（最大）： 85W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型： 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO263-7-12

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7引線+焊片），TO-263CA

IMBG65R163M1HXTMA1的特點

高性能、高可靠性和易于使用

高系統(tǒng)效率和高功率密度

降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性

創(chuàng)建成本更低、更簡單、更小的系統(tǒng)

集成電路芯片IMBG65R163M1HXTMA1功率MOSFET晶體管TO-263-8

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