NVH4L160N120SC1是采用全新技術(shù)的1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET器件，與硅器件相比，具有更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，可確保低電容和低柵極電荷。1200V EliteSiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。這些MOSFET具有阻斷電壓、高速開(kāi)關(guān)、低電容等特性，工作溫度范圍為-55°C至175°C。

1200V SiC MOSFET符合汽車(chē)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)和RoHS指令。器件非常適合用于升壓逆變器、充電站、直流-直流逆變器、直流-直流轉(zhuǎn)換器、車(chē)載充電器 (OBC)、電機(jī)控制、工業(yè)電源和服務(wù)器電源。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17.3A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：224毫歐 @ 12A，20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 2，5mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：34 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-15V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：665 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：111W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4L

封裝/外殼：TO-247-4

基本產(chǎn)品編號(hào)：NVH4L160

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