Infineon Technologies IPDQ60R022S7XTMA1 600V CoolMOS?S7 SJ功率MOSFET具備低頻開關(guān)應(yīng)用所需性能。CoolMOS?S7的RDS(on) 較低，適用于HVSJ MOSFET。采用該設(shè)備可顯著提高能效。 CoolMOS?S7針對“靜態(tài)開關(guān)”和大電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

特性

采用CoolMOS?S7技術(shù)可實現(xiàn)40mΩ的RDS (on)

在低頻開關(guān)應(yīng)用中優(yōu)化了性價比

高脈沖電流能力

開爾文源極引腳提高了大電流時的開關(guān)性能

QDPAK (PG-HDSOP-22-1)采用頂部冷卻，封裝散熱性能提高

應(yīng)用

固態(tài)繼電器和斷路器

大功率/高性能應(yīng)用中的線路整流

計算、電信、不間斷電源和太陽能

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。