MSCSM120DDUM31CTBL2NG器件是 4 N 溝道 1200V  79A碳化硅（SiC）MOSFET功率模塊。此模塊模塊采用薄型設計，可直接安裝到散熱片（隔離式封裝）、內部熱敏電阻（用于溫度監(jiān)控）以及擴展溫度范圍。MSCSM120D模塊適用于高可靠性 電源系統(tǒng)、高效交流/直流和直流/交流轉換器、電機控制以及交流開關等應用。

產品規(guī)格：

技術：碳化硅（SiC）

配置：4 N 溝道，共源

FET 功能：-

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：79A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：31 毫歐 @ 40A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：232nC @ 20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3020pF @ 1000V

功率 - 最大值：310W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：-

基本產品編號：MSCSM120

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