SCTWA90N65G2V 650V 碳化硅 (SiC) MOSFET具有24m?（典型值）和119A（額定值）特性，該功率MOSFET采用HiP247封裝。器件具有極低的柵極電荷和輸入電容、高速開關(guān)性能以及源極傳感引腳，可提高效率。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：119A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 50A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3380 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：565W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247 長(zhǎng)引線

封裝/外殼：TO-247-3

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