1200V SCT30N120H碳化硅功率MOSFET具有出色的開關(guān)性能，以及極低的單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)性能指標，從而實現(xiàn)了更高效、更緊湊的系統(tǒng)。與硅MOSFET相比，SiC MOSFET的開關(guān)損耗更低，且隨溫度的變化更小。

特性：

? 導(dǎo)通電阻隨溫度變化非常緊密

? 非常高的工作溫度能力(TJ = 175℃)

? 非常快速和穩(wěn)健的內(nèi)在體二極管

? 低電容

應(yīng)用：

? 太陽能逆變器、UPS

? 電機驅(qū)動

? 高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器

? 開關(guān)電源

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。