LMG2100R026VBNR 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 GaN FET 組成，由一個采用半橋配置的高頻 GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動。

特性：

集成半橋 GaN FET 和驅(qū)動器

93V 連續(xù)，100V 脈沖額定電壓

封裝經(jīng)過優(yōu)化，便于 PCB 布局

高轉(zhuǎn)換速率開關(guān)，低振鈴

5V 外部偏置電源

支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平

柵極驅(qū)動器能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá) 10MHz 的開關(guān)頻率

出色的傳播延遲（典型值為 33ns）和匹配性（典型值為 2ns）

內(nèi)部自舉電源電壓箝位，以防止 GaN FET 過驅(qū)

用于鎖定保護(hù)的電源軌欠壓

低功耗

外露頂部 QFN 封裝，用于頂部冷卻

用于底部冷卻的大型 GND 焊盤

應(yīng)用：

? 降壓、升壓、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

? LLC 轉(zhuǎn)換器

? 太陽能逆變器

? 電信和服務(wù)器電源

? 電機(jī)驅(qū)動

? 電動工具

? D 類音頻放大器

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