NTH4L025N065SC1 650V碳化硅MOSFET采用TO-247-4L封裝。該器件具有10倍介電擊穿場強度和2倍電子飽和速度。ON 碳化硅MOSFET均包括符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能的選項，專門設(shè)計用于汽車應(yīng)用并符合其相關(guān)要求。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：99A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：28.5 毫歐 @ 45A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 15.5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：164 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3480 pF @ 15 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：348W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4L

封裝/外殼：TO-247-4

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