STW48N60M2器件是采用MDmesh M2技術(shù)開(kāi)發(fā)的N溝道功率MOSFET。由于其條狀布局和改進(jìn)的垂直結(jié)構(gòu)，該器件表現(xiàn)出低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開(kāi)關(guān)特性，使其適用于最苛刻的高效率轉(zhuǎn)換器。

產(chǎn)品屬性

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 42 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 70 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 70 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: MDmesh

系列: STW48N60M2

配置: Single

下降時(shí)間: 119 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 17 ns

工廠包裝數(shù)量: 600

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns

典型接通延遲時(shí)間: 18.5 ns

單位重量: 6 g

應(yīng)用

? 開(kāi)關(guān)應(yīng)用

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