NTHL020N120SC1 1200V SiC（碳化硅）MOSFET采用全新技術(shù)，與硅器件相比，具有更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。該MOSFET具有阻斷電壓、高速開關(guān)、低電容等特性，工作溫度范圍為-55°C至175°C。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：103A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：28毫歐 @ 60A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 20mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：203 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-15V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2890 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：535W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號：NTHL020

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