IMLT65R026M2H是由（Infineon）推出的一款CoolSiC? MOSFET，型號為650V G2，采用TOLL封裝，導(dǎo)通電阻為26m???。這款MOSFET結(jié)合了CoolSiC? G2的最佳性能和頂部冷卻技術(shù)，旨在實(shí)現(xiàn)最高的系統(tǒng)功率密度?。

IMLT65R026M2H 規(guī)格

封裝 / 箱體：HDSOP-16

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：82 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：33 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6 V

Qg-柵極電荷：42 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：365 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：5.1 ns

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

產(chǎn)品：MOSFETs

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：10.1 ns

系列：650V G2

晶體管類型：1 N-Channel

類型：SiC MOSFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：16 ns

典型接通延遲時(shí)間：9.3 ns

應(yīng)用場景

IMLT65R026M2H適用于需要高性能、高可靠性和長壽命的應(yīng)用場景，特別是在要求高功率密度和系統(tǒng)成本優(yōu)化的設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色。

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