IMBG65R033M2H是一款CoolSiC? MOSFET，屬于650 V G2代產(chǎn)品，封裝在TO-263-7（D2PAK-7）包中?。這款MOSFET基于Generation 2技術(shù)，IMBG65R033M2H相比第一代產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標(biāo)上有顯著提升，適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，適用于AC-DC、DC-DC和DC-AC階段的各種組合?。

IMBG65R033M2H 參數(shù)

封裝 / 箱體：PG-TO263-7

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：58 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：41 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6 V

Qg-柵極電荷：34 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：227 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：4.8 ns

封裝：Reel

產(chǎn)品：SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時間：9.1 ns

系列：650V G2

晶體管類型：1 N-Channel

類型：CoolSiC MOSFET

典型關(guān)閉延遲時間：15 ns

典型接通延遲時間：8.8 ns

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