SCT055TO65G3是一款650 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管，具有極低的每區(qū)域?qū)娮?(RDS(on)) 以及出色的開(kāi)關(guān)性能。SCT055TO65G3具有高速切換性能，適用于需要高頻切換的應(yīng)用?。

應(yīng)用領(lǐng)域

開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）?：SCT055TO65G3適用于需要高頻切換和高能效的開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用?。

DC-DC轉(zhuǎn)換器?：SCT055TO65G3用于直流到直流的電壓轉(zhuǎn)換器，適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合?。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品：SCT055TO65G3

封裝 / 箱體：TOLL-8

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：30 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：72 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3 V

Qg-柵極電荷：31 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：234 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：13.6 ns

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：5 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：19.4 ns

典型接通延遲時(shí)間：9.2 ns

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