S25FL512SAGBHIC13是由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的一款高性能NOR閃存芯片，采用SPI接口，適用于多種嵌入式應(yīng)用。它基于MIRRORBIT?技術(shù)，具有高密度、低功耗和快速讀寫性能，支持單、雙和四SPI模式。

S25FL512SAGBHIC13規(guī)格參數(shù)

制造商：Infineon Technologies

存儲類型：非易失性存儲器（NOR Flash）

存儲容量：512Mbit（64MB）

存儲器接口：SPI - Quad I/O

工作電壓：2.7V 至 3.6V

工作溫度：-40°C 至 +85°C

封裝形式：24-BGA（8x6mm）

時鐘頻率：最高133MHz

訪問時間：8ns

擦寫耐久性：100,000次

數(shù)據(jù)保持時間：20年

S25FL512SAGBHIC13產(chǎn)品特性

SPI接口支持：單、雙和四SPI模式。

執(zhí)行就地（XiP）：支持直接從閃存執(zhí)行代碼。

高級扇區(qū)保護（ASP）：提供扇區(qū)保護功能，防止意外修改。

數(shù)據(jù)保持時間：數(shù)據(jù)保持時間長達(dá)20年。

擦寫耐久性：至少100,000次擦寫周期。

自動ECC：內(nèi)部硬件錯誤校正碼（ECC）生成，單比特錯誤校正。

靈活的擦除操作：支持扇區(qū)擦除和塊擦除。

多種讀取模式：支持Normal、Fast、Dual、Quad、Fast DDR、Dual DDR和Quad DDR讀取命令。

AutoBoot：上電或復(fù)位后自動執(zhí)行預(yù)選地址的Normal或Quad讀取命令。

擴展尋址：支持32位地址擴展，適用于高密度存儲。

高密度與高性能：512Mbit密度，133MHz時鐘頻率，適用于多種嵌入式應(yīng)用。

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