S27KL0643GABHB023 器件是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM，具有 xSPI（八進制）接口。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當 xSPI 接口主控器（主機）不主動讀寫存儲器時，器件內的刷新控制邏輯會管理 DRAM 陣列上的刷新操作。由于主機不需要管理任何刷新操作，因此在主機看來，DRAM 陣列就好像內存使用了無需刷新即可保留數據的靜態(tài)單元。因此，將該存儲器描述為偽靜態(tài) RAM（PSRAM）更為準確。

S27KL0643GABHB023 的特點

xSPI （八進制）接口

支持 1.8V/ 3.0 V 接口

單端時鐘 (CK) - 11 個總線信號

可選差分時鐘 (CK, CK#) - 12 個總線信號

芯片選擇 (CS#)

8 位數據總線 (DQ[7:0])

硬件復位 (RESET#)

雙向讀寫數據選通 (RWDS)

在所有事務開始時輸出，指示刷新延遲

在讀取事務期間作為讀數據選通輸出

在寫入事務期間作為寫入數據掩碼輸入

可選的 DDR 中心對齊讀選通 (DCARS)

在讀取事務期間，RWDS 被第二個時鐘偏移，該時鐘與 CK 相移

相移時鐘用于在讀取數據眼內移動 RWDS 轉換邊沿

最大時鐘頻率為 200 MHz

DDR - 在時鐘的兩個邊沿上傳輸數據

數據吞吐量高達 400 MBps（3,200 Mbps）

可配置的突發(fā)特性

混合選項--一個封裝突發(fā)后是線性突發(fā)

可配置的輸出驅動強度

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