商品名稱：碳化硅 MOSFET 晶體管
品牌：Wolfspeed
年份：25+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。
C3M0021120D 的特點
第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)
高阻斷電壓，低導通電阻
高速開關(guān)，低電容
具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范
C3M0021120D 的優(yōu)點
降低開關(guān)損耗，最大限度地減少柵極振鈴
更高的系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
提高功率密度
提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
C3M0021120D 的應(yīng)用
太陽能逆變器
電動汽車電機驅(qū)動
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
開關(guān)模式電源
負載開關(guān)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓，低導通電阻高速開關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復 (Qrr)無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…
C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓，低導通電阻高速開關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復 (Qrr)無鹵素，符合…
E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓，低導通電阻高速開關(guān)，低電容本征二極管速度快，反向恢復 (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓，低導通電阻高速開關(guān)，低電容本征二極管速度快，反向恢復 (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用，如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機驅(qū)動器和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性：漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 -…
HAS530M12BM3
HAS530M12BM3是一款1200 V、2.67 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè) HV-H3TRB 認證的SiC 功率模塊，主要用于感應(yīng)加熱、電機驅(qū)動、能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、鐵路、電動汽車快速充電等高頻工業(yè)應(yīng)用?領(lǐng)域。HAS530M12BM3模塊的特性漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：530…電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
