APT100GN60LDQ4G絕緣柵雙極晶體管(IGBT)采用最新的場停和溝槽門技術(shù)，具有超低的VCE(ON)，非常適合需要絕對最小導(dǎo)通損失的低頻應(yīng)用。

技術(shù)規(guī)格

APT100GN60LDQ4G的主要規(guī)格如下：

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：229 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：300 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，100A

功率 - 最大值：625 W

開關(guān)能量：4.75mJ（導(dǎo)通），2.675mJ（關(guān)斷）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：600 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：31ns/310ns

測試條件：400V，100A，1 歐姆，15V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-264-3

應(yīng)用領(lǐng)域

APT100GN60LDQ4G IGBT適用于需要高壓、大電流控制的場合，如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。由于其低導(dǎo)通壓降和高可靠性，它在電力轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。

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