高速 600 V、20 A 硬開關(guān) TRENCHSTOP? IGBT3 與續(xù)流二極管共同封裝在 TO220 封裝中，在開關(guān)和傳導損耗之間實現(xiàn)了最佳折衷。

IKP20N60H3XKSA1 具有類似 MOSFET 的關(guān)斷開關(guān)特性，關(guān)斷損耗低。

特點

開關(guān)損耗低，效率高

采用著名的英飛凌 TRENCHSTOP? 技術(shù)，具有出色的 Vce(sat) 性能

快速開關(guān)性能，EMI 輻射低

針對目標應用優(yōu)化的二極管，意味著開關(guān)損耗的進一步改善

可選擇低柵極電阻（低至 5Ω），同時保持出色的開關(guān)性能

短路能力 5μs

最大 Tj 為 175°C

可帶或不帶續(xù)流二極管封裝，提高了設計自由度

優(yōu)勢

極佳的 EMI 性能

可與小型柵極電阻器配合使用，以減少延遲時間和電壓過沖

高電流密度

同類最佳的 600 V IGBT 效率和 EMI 性能

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