IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。該器件設(shè)計用于高電壓和高電流應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）和優(yōu)異的熱性能，適用于電源管理、工業(yè)控制、電動車輛（EV）和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域。

IXFP14N85XM 產(chǎn)品特性

高耐壓能力：最大漏源電壓（Vds）為 850V，適用于高電壓應(yīng)用。

低導(dǎo)通電阻：Rds(on) 為 0.42Ω @ Vgs=10V，減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。

高電流承載能力：最大漏極電流（Id）為 14A，滿足高功率密度設(shè)計需求。

低柵極電荷：Qg 為 62nC，優(yōu)化開關(guān)性能，減少開關(guān)過程中的能量損耗。

優(yōu)異的熱性能：采用 TO-220 封裝，提供良好的散熱性能。

寬工作溫度范圍：-55°C 至 150°C，適用于多種工業(yè)和汽車應(yīng)用場景。

IXFP14N85XM 產(chǎn)品屬性

制造商: IXYS

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 850 V

Id-連續(xù)漏極電流: 14 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 550 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 30 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 460 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: HiPerFET

應(yīng)用范圍

IXFP14N85XM 廣泛應(yīng)用于需要高電壓、高效率和高可靠性的功率電子系統(tǒng)，包括但不限于：

工業(yè)電源：作為主開關(guān)元件，提供高效的功率轉(zhuǎn)換能力。

不間斷電源（UPS）：確保電力供應(yīng)的穩(wěn)定性和可靠性。

光伏逆變器：用于 DC-AC 轉(zhuǎn)換，實現(xiàn)太陽能能量的高效輸出。

電動車充電系統(tǒng)：高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性使其成為理想的功率開關(guān)器件。

電機(jī)驅(qū)動器：如工業(yè)自動化設(shè)備中的變頻驅(qū)動器（VFD）和伺服驅(qū)動器。

電源適配器：適用于高性能筆記本電腦電源適配器和服務(wù)器電源系統(tǒng)。

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