IPB60R080P7：600V，CoolMOS ? P7 超結 (SJ) MOSFET 晶體管，PG-TO263-3

概述：

IPB60R080P7——600V CoolMOS ? P7 超結 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS ? P6 系列的后續(xù)產品。它在設計過程中不斷平衡高效率的需求和易用性。CoolMOS ?第 7 代平臺一流的 R onxA 和固有的低柵極電荷 (Q G) 確保了其高效率。

IPB60R080P7 規(guī)格參數：

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：37A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：80 毫歐 @ 11.8A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 590μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：51 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2180 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：129W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

IPB60R080P7 產品特性：

CoolMOS ? 7 系列

低柵極電荷

COSS中的低存儲能量

集成柵極電阻

IPB60R080P7 應用：

DIN 導軌電源解決方案 

單相串聯逆變器解決方案 

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。