明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)晶體管 IPD06P004N P溝道 MOSFET 60 V 16.4A 63W PG-TO252-3，進(jìn)口原裝，質(zhì)量保證，實(shí)單可詳談 ，有興趣的朋友歡迎致電聯(lián)系陳先生QQ1668527835，電話13410018555，郵箱chen13410018555@163.com！特征? P-通道? 真正的低電阻RDS（開）? 經(jīng)測試，
明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)晶體管 IPD06P004N P溝道 MOSFET 60 V 16.4A 63W PG-TO252-3，進(jìn)口原裝，質(zhì)量保證，實(shí)單可詳談 ，有興趣的朋友歡迎致電聯(lián)系陳先生QQ1668527835，電話13410018555，郵箱chen13410018555@163.com！
特征
? P-通道
? 真正的低電阻RDS（開）
? 經(jīng)測試，100%不受影響
? 正常水平
? 增強(qiáng)模式
? 無鉛電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
? 符合IEC61249-2-21的無鹵素標(biāo)準(zhǔn)
規(guī)格參數(shù)
FET 類型： P 通道
技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）： 60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 16.4A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 90 毫歐 @ 16.4A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 4V @ 710μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF @ 30 V
FET 功能： -
功率耗散（最大值）： 63W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝： PG-TO252-3
封裝/外殼： TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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