深圳市明佳達電子有限公司全新原裝英飛凌晶體管_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3英飛凌對諧振大功率拓撲的解答600V CoolMOS? CFD7 是英飛凌推出的新型高壓超結(jié) MOSFET 技術(shù)，具有集成快速體二極管，完善了CoolMOS? 7系列?！?/p>
深圳市明佳達電子有限公司全新原裝英飛凌晶體管_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
英飛凌對諧振大功率拓撲的解答
600V CoolMOS? CFD7 是英飛凌推出的新型高壓超結(jié) MOSFET 技術(shù)，具有集成快速體二極管，完善了CoolMOS? 7系列。 CoolMOS? CFD7 擁有更低的柵極電荷(Qg)和更為出色的關(guān)斷性能。此外，其反向恢復(fù)電荷(Qrr)遠低于市場上的競爭性產(chǎn)品，降幅高達 69%。不僅如此，它還具有市場上較短的反向恢復(fù)時間(trr)。
特點
-超快體二極管
-低門限充電
-同類最佳反向恢復(fù)充電（Qrr）
-改進的 MOSFET 反向二極管
-最低的 RDS（On）*Qg 和 RDS（On）*Eoss
-SMD和THD封裝中的同類最佳RDS(on)
優(yōu)勢
-出色的高負荷運行能力
-針對共振拓撲結(jié)構(gòu)的最高可靠性
-最高效率，使用/性能折損不明顯
-支持增加功率密度的解決方案
潛在應(yīng)用
適用于軟交換拓撲結(jié)構(gòu)
優(yōu)化用于移相全橋（ZVS）、LLC 應(yīng)用--服務(wù)器、電信、EVC 充電、電信、EVC 充電
規(guī)格
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HSOF-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 67 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 35 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 109 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 351 W
通道模式: 增強
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