深圳市明佳達電子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管，8-WDFN產(chǎn)品描述NVTFS027N10MCLTAG 是汽車功率 MOSFET 晶體管，采用 3x3mm 扁平引線封裝，專為緊湊型高效設計而設計，具有高散熱性能。提供用于增強光學檢測的可潤濕側翼選件。通過 A…
深圳市明佳達電子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管，8-WDFN
產(chǎn)品描述
NVTFS027N10MCLTAG 是汽車功率 MOSFET 晶體管，采用 3x3mm 扁平引線封裝，專為緊湊型高效設計而設計，具有高散熱性能。提供用于增強光學檢測的可潤濕側翼選件。通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET 和 PPAP 適用于汽車應用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7.4A（Ta），28A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：26 毫歐 @ 7A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 38μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：11.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：800 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），46W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：8-WDFN（3.3x3.3）
封裝/外殼：8-PowerWDFN
產(chǎn)品特性
占用空間小（3x3 毫米）
低 RDS（導通）
低 QG 和電容
提供可潤濕側翼選項
符合 RoHS 規(guī)范
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