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ADI HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化鎵 MMIC I/Q 混頻器

來源：本站時(shí)間：2025-07-07瀏覽數(shù)：

深圳明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng) ADI HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化鎵 MMIC I/Q 混頻器深圳明佳達(dá)電子有限公司作為國內(nèi)外電子元器件的領(lǐng)先分銷商，現(xiàn)備有 HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化鎵 MMIC I/Q 混頻器庫存。產(chǎn)品概述與技術(shù)規(guī)格HMC521ALC4TR 是一款緊湊…

深圳明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng) ADI HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化鎵 MMIC I/Q 混頻器

深圳明佳達(dá)電子有限公司作為國內(nèi)外電子元器件的領(lǐng)先分銷商，現(xiàn)備有 HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化鎵 MMIC I/Q 混頻器庫存。

產(chǎn)品概述與技術(shù)規(guī)格

HMC521ALC4TR 是一款緊湊型砷化鎵（GaAs）單片微波集成電路（MMIC），采用相位差四象限（I/Q）混頻器設(shè)計(jì)，封裝于符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 24 引腳陶瓷無引線芯片載體（LCC）中。HMC521ALC4TR 器件可作為圖像抑制混頻器或單邊帶上變頻器使用。HMC521ALC4TR 混頻器集成了兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙平衡混頻單元和一個(gè) 90° 混頻耦合器，所有組件均采用 GaAs 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MESFET）技術(shù)制造。HMC521ALC4TR 器件為混合型圖像抑制混頻器和單邊帶上變頻器提供了更緊湊的替代方案。HMC521ALC4TR 消除了對引線鍵合的需求，支持表面貼裝制造技術(shù)。

HMC521ALC4TR的關(guān)鍵技術(shù)規(guī)格：

頻率范圍：8.5 GHz至13.5 GHz

轉(zhuǎn)換損耗：典型值9 dB

圖像抑制：典型值27.5 dBc

本振與射頻隔離：典型值39 dB

輸入IP3：典型值16 dBm

中頻帶寬：直流至3.5 GHz

封裝尺寸：3.9 mm × 3.9 mm（16 mm2）LCC-24封裝

HMC521ALC4TR的產(chǎn)品特性與架構(gòu)優(yōu)勢

HMC521ALC4TR采用砷化鎵金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MESFET）技術(shù)制造，集成了兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙平衡混頻器單元和一個(gè)90°混合耦合器。這種創(chuàng)新設(shè)計(jì)提供了多個(gè)顯著優(yōu)勢：

多功能應(yīng)用：HMC521ALC4TR 可同時(shí)作為圖像抑制混頻器和單邊帶上變頻器使用，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供高度靈活性。

緊湊型設(shè)計(jì)：HMC521ALC4TR 體積更小，可替代傳統(tǒng)混合圖像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件，特別適用于空間受限的應(yīng)用場景。