明佳達電子全新原裝供應NOR閃存 S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR 存儲器 IC 2Gb 并聯(lián) 110 ns 64-FBGAS70GL02GS 2-Gb MIRRORBIT? 閃存器件采用 65 納米 MIRRORBIT? 工藝技術制造。該器件的快速頁面訪問時間為 25 ns，相應的隨機訪問時間為 110 ns。它具有一個寫緩沖器，允…
明佳達電子全新原裝供應NOR閃存 S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR 存儲器 IC 2Gb 并聯(lián) 110 ns 64-FBGA
S70GL02GS 2-Gb MIRRORBIT? 閃存器件采用 65 納米 MIRRORBIT? 工藝技術制造。該器件的快速頁面訪問時間為 25 ns，相應的隨機訪問時間為 110 ns。它具有一個寫緩沖器，允許在一次操作中最多編程 256 個字/512 個字節(jié)
參數(shù)：S70GL02GS11FHI010
密度： 2048 MBit
系列： GL-S
初始訪問時間： 110 ns
接口頻率（SDR/DDR）（MHz）： NA
接口： 并行
引線球表面處理： 錫/銀/銅
最低和最高工作溫度： -40 °C 85 °C
最低和最高工作電壓： 3 V 2.7 V 3.6 V
頁面訪問時間： 20 ns
峰值回流焊溫度： 260 °C
認證： 工業(yè)級
與眾不同的特性：
? 具有多功能 I/O? 的 3.0 V CMOS 內核
? 單個 64 球強化 BGA 封裝中包含兩個 1024 兆位 (S29GL01GS)
? 65 納米 MIRRORBIT? 工藝技術
? 用于讀取/編程/擦除的單電源（VCC）（2.7 V 至 3.6 V）
? 多功能 I/O 功能
? 寬 I/O 電壓 (VIO)： 1.65 V 至 VCC
- ×16 數(shù)據總線
? 16 字/32 字節(jié)頁面讀取緩沖區(qū)
? 512 字節(jié)編程緩沖區(qū)
- 以頁面倍數(shù)編程，最大可達 512 字節(jié)
? 扇區(qū)擦除
- 統(tǒng)一 128-KB 扇區(qū)
- S70GL02GS: 248 個扇區(qū)
? 用于編程和擦除操作的暫停和恢復命令
? 狀態(tài)寄存器、數(shù)據輪詢和就緒/忙引腳方法可確定設備狀態(tài)
? 高級扇區(qū)保護 (ASP)
- 每個扇區(qū)的易失性和非易失性保護方法
? 獨立的 1024 位一次性編程 (OTP) 陣列，有兩個可鎖定區(qū)域
- 每個設備都有 支持通用閃存接口 (CFI)
? WP# 輸入
- 保護每個設備的第一個或最后一個扇區(qū)，或第一個和最后一個扇區(qū)，與扇區(qū)保護設置無關
? 溫度范圍
- 工業(yè)溫度范圍（-40°C 至 +85°C）
? 每個扇區(qū)典型擦除次數(shù)為 100,000 次
? 典型數(shù)據保存期為 20 年
? 封裝選項
- 64 球 LSH 加固 BGA，13 毫米 ? 11 毫米
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