納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布為其最新的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs產(chǎn)品組合新增一款堅固耐用的熱性能增強型高速表貼TOLL封裝產(chǎn)品，能為大功率、可靠性要求高的應(yīng)用帶來高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換。納微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功將高功率能力和行業(yè)…
納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布為其最新的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs產(chǎn)品組合新增一款堅固耐用的熱性能增強型高速表貼TOLL封裝產(chǎn)品，能為大功率、可靠性要求高的應(yīng)用帶來高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換。
納微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功將高功率能力和行業(yè)最佳的低導(dǎo)通電阻（20至55mΩ）相結(jié)合，并針對如AI數(shù)據(jù)中心電源、電動汽車充電和儲能以及太陽能解決方案等應(yīng)用所需的最快開關(guān)速度、最高效率和更高功率密度特性進行了專項優(yōu)化。
納微GeneSiC碳化硅產(chǎn)品基于專有的“溝槽輔助平面柵”技術(shù)打造，可在運行溫度范圍內(nèi)能提供了全球頂尖的效率性能，G3F MOSFETs具備高速、運行溫升低的性能，相比市場上其他廠商的碳化硅產(chǎn)品，可使器件的外殼溫度降低高達25°C并且壽命長3倍。
納微最新發(fā)布的4.5kW高功率密度AI服務(wù)器電源參考設(shè)計，其采用了型號為G3F45MT60L（額定電壓為650V、40mΩ，TOLL封裝）的GeneSiC G3F FETs，用于交錯CCM TP PFC拓撲上。與LLC上使用型號為NV6515（額定電壓650V，35mΩ，TOLL封裝）的GaNSafe?氮化鎵功率芯片搭配，使這款電源以137W/inch3的功率密度和超過97%的峰值效率，成為全球功率密度最高的AI服務(wù)器電源。同樣，在400V的電動汽車電池系統(tǒng)中，TOLL封裝的G3F MOSFETs是車載充電機（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及6.6kW-22kW牽引電機的理想之選。
相較于傳統(tǒng)的D2PAK-7L封裝，表貼TOLL封裝的結(jié)殼電阻（RTH,J-C）要低9%，PCB占位面積也要小30%，厚度低50%并且整體尺寸少60%，有利于打造最高功率密度的解決方案，如納微的4.5kW高功率密度AI服務(wù)器電源。此外，由于其具備僅為2nH的最小封裝電感，可實現(xiàn)卓越的高速開關(guān)性能和最低的動態(tài)損耗。
采用TOLL封裝的納微G3F碳化硅產(chǎn)品系列現(xiàn)已上市銷售。欲了解更多信息，請訪問納微官方網(wǎng)站：www.navitassemi.com
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