深圳市明佳達電子供應(yīng) 英飛凌 FF55MR12W1M1HB70 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊產(chǎn)品描述FF55MR12W1M1HB70 是 1200V 55mΩ EasyDUAL? 1B 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊。特點寬 RBSOA雜散電感極低更大的柵極驅(qū)動電壓窗口PressFIT 引腳高導(dǎo)熱性優(yōu)勢最大柵極源極電壓…
深圳市明佳達電子供應(yīng) 英飛凌 FF55MR12W1M1HB70 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊
產(chǎn)品描述
FF55MR12W1M1HB70 是 1200V 55mΩ EasyDUAL? 1B 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊。
特點
寬 RBSOA
雜散電感極低
更大的柵極驅(qū)動電壓窗口
PressFIT 引腳
高導(dǎo)熱性
優(yōu)勢
最大柵極源極電壓擴展至 +23 V 和 -10 V
過載條件下的 Tvjop 高達 175°C
最佳性價比，可降低系統(tǒng)成本
可實現(xiàn)高頻率運行，并可降低冷卻要求
應(yīng)用
電動汽車充電
工業(yè)電機驅(qū)動和控制
伺服電機驅(qū)動和控制
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