最新資訊明佳達(dá)電子【供應(yīng)】英飛凌碳化硅SiC FF17MR12W1M1HPB11 集成 CoolSiC? MOSFET 的半橋 1200V 模塊描述：FF17MR12W1M1HPB11EasyDUAL? 1B 1200 V, 33 mΩ 半橋模塊采用了第一代增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET 、集成式NTC 溫度傳感器、預(yù)涂熱界面材料和 PressFIT 壓接技術(shù)。特征：…
明佳達(dá)電子【供應(yīng)】英飛凌碳化硅SiC FF17MR12W1M1HPB11 集成 CoolSiC? MOSFET 的半橋 1200V 模塊
EasyDUAL? 1B 1200 V, 33 mΩ 半橋模塊采用了第一代增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET 、集成式NTC 溫度傳感器、預(yù)涂熱界面材料和 PressFIT 壓接技術(shù)。
12 毫米高的同類(lèi)最佳封裝
將領(lǐng)先寬禁帶材料與 Easy 模塊封裝相結(jié)合
模塊雜散電感極低
較寬的反偏安全工作區(qū) (RBSOA)
采用第一代增強(qiáng)型溝槽技術(shù)的1200 V CoolSiC? MOSFET
建議柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口增大：從 +15 擴(kuò)展至 +18 V，從 0 V 擴(kuò)展至 -5 V
擴(kuò)展的最大柵-源電壓：+23 V 和 -10 V
過(guò)載條件下工作結(jié)溫 Tvjop 高達(dá) 175°C
PressFIT 引腳
集成 NTC 溫度傳感器
熱界面材料
規(guī)格：FF17MR12W1M1HPB11
系列： CoolSiC?
包裝： 托盤(pán)
零件狀態(tài)： 在售
技術(shù)： 碳化硅（SiC）
漏源電壓（Vdss）： 1200V（1.2kV）
安裝類(lèi)型： 底座安裝
封裝/外殼： 模塊
供應(yīng)商器件封裝： AG-EASY1B
應(yīng)用
高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用
DC/DC 變換器
UPS 系統(tǒng)
電動(dòng)車(chē)直流充電
圖表
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