安森美FGH4L50T65MQDC50 650V場終止型中速IGBT采用第4代場終止型IGBT技術(shù)和1.5 SIC肖特基二極管技術(shù)。  

FGH4L50T65MQDC50采用緊湊型TO-247 4引腳封裝。該器件通過最小傳導(dǎo)和開關(guān)損耗提高效率。 該器件設(shè)計用于各種應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

制造商: onsemi

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

封裝 / 箱體: TO-247-4LD

安裝風格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.45 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, + 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 100 A

Pd-功率耗散: 246 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: FGH4L50T65MQDC50

集電極最大連續(xù)電流 Ic: 100 A

應(yīng)用

充電站 (EVSE)

太陽能逆變器

UPS、ESS

PFC，轉(zhuǎn)換器

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