IKW15N120H3FKSA1高速 1200 V 15 A 第四代硬開關(guān) TRENCHSTOP? IGBT，與續(xù)流二極管聯(lián)合封裝到 TO247 封裝中，在開關(guān)和導(dǎo)通損耗之間實現(xiàn)完美平衡。該系列產(chǎn)品主要特性是與 MOSFET 相類似的關(guān)斷開關(guān)行為，降低關(guān)斷損耗。

特征

專為替代頻率低于 70kHz 應(yīng)用中的平面 MOSFET 設(shè)計

極低的開關(guān)損耗，提高效率

通過著名的英飛凌 TRENCHSTOP? 技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)秀的 VCEsat 行為

快速開關(guān)行為，低電磁干擾

針對目標(biāo)應(yīng)用優(yōu)化二極管，進(jìn)一步降低開關(guān)損耗

可以選擇極低的柵極電阻（低至 5Ω），同時保持優(yōu)秀的開關(guān)行為

短路能力

Tj(max) 175°C

可以選擇帶或不帶續(xù)流二極管的封裝，增加設(shè)計靈活度

產(chǎn)品屬性

系列： TrenchStop?  

包裝： 管件  

IGBT 類型： 溝槽型場截止  

電壓 - 集射極擊穿（最大值）： 1200 V  

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）： 30 A  

電流 - 集電極脈沖 (Icm)： 60 A  

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）： 2.4V @ 15V，15A  

功率 - 最大值：217 W  

開關(guān)能量： 1.55mJ  

輸入類型： 標(biāo)準(zhǔn)  

柵極電荷： 75 nC  

25°C 時 Td（開/關(guān)）值： 21ns/260ns  

測試條件： 600V，15A，35 歐姆，15V  

反向恢復(fù)時間 (trr)： 260 ns  

工作溫度： -40°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

封裝/外殼： TO-247-3  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO247-3-1 

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