STGW40M120DF3是一種 IGBT，采用先進的專有溝槽柵極場致停技術(shù)開發(fā)而成。還具有正VCE(sat) 溫度系數(shù)和嚴格的參數(shù)分布可實現(xiàn)更安全的并聯(lián)運行。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型：溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：160 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，40A
功率 - 最大值：468 W
開關(guān)能量：1.5mJ（開），2.25mJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷：125 nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：35ns/140ns
測試條件：600V，40A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間 (trr)：355 ns
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3
應(yīng)用
● 工業(yè)驅(qū)動器
● 不間斷電源
● 太陽能
● 焊接
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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意法半導(dǎo)體（ST）集團于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)…
STM32FEBKC6T6A
STM32FEBKC6T6A是由意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）設(shè)計生產(chǎn)的 32 位微控制器，采用 ARM Cortex-M3 內(nèi)核，工作頻率高達 72MHz，具有高性能和低功耗的特點，適用于多種應(yīng)用場景。
SPC563M64L5COAR
SPC563M64L5COAR是一款高性能 32 位汽車微控制器，基于 Power Architecture 技術(shù)，專為汽車動力系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計。
STM32G070CBT6TR
STM32G070CBT6TR是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的基于 Arm Cortex-M0+ 內(nèi)核的 32 位微控制器，具有高性能、低功耗和豐富的外設(shè)接口，適用于多種嵌入式應(yīng)用。
STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機驅(qū)動器，采用簡潔卻堅固的設(shè)計。由六個帶續(xù)流二極管的IGBT和三個用于柵極驅(qū)動控制的半橋HVIC組成，具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過優(yōu)化的開關(guān)速度。其特點和主要規(guī)格如下：特點包含用于柵極驅(qū)動控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…
STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT，適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景，如工業(yè)控制、電機驅(qū)動、電力轉(zhuǎn)換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下：IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電…
STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進的PowerMESH技術(shù)，確保在開關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導(dǎo)通時的電壓降（VCE(sat)）較低，且沒有交叉?zhèn)鲗?dǎo)的嫌疑，恢復(fù)特性非常軟且快速?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用領(lǐng)域如下：技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：-電壓 - 集射極…電話咨詢：86-755-83294757
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