S70KL1282GABHV023 是具有 HYPERBUS? 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當(dāng) HYPERBUS 接口主控器（主機(jī)）不主動讀寫存儲器時，器件內(nèi)的刷新控制邏輯會管理 DRAM 陣列上的刷新操作。由于主機(jī)無需管理任何刷新操作，因此在主機(jī)看來，DRAM 陣列就像是使用靜態(tài)單元的存儲器，無需刷新即可保留數(shù)據(jù)。這種存儲器更準(zhǔn)確的描述是偽靜態(tài) RAM（PSRAM）。

特點(diǎn)

HYPERBUS 接口

支持 1.8V / 3.0V 接口

單端時鐘 - 11 個總線信號

可選差分時鐘 - 12 個總線信號

雙向讀寫數(shù)據(jù)選通 (RWDS)

在所有事務(wù)開始時輸出，指示刷新延遲

在讀取事務(wù)期間作為讀取數(shù)據(jù)選通輸出

在寫入事務(wù)期間作為寫入數(shù)據(jù)屏蔽信號輸入

可選的 DDR 中心對齊讀取前導(dǎo)信號 (DCARS)

最大時鐘頻率 200MHz

DDR - 在時鐘的兩個邊沿上傳輸數(shù)據(jù)

數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá) 400MB/s（3,200Mbps）

應(yīng)用

智能樓宇

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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