C2M0045170D是基于第二代技術的1700 V碳化硅(SiC)MOSFET，支持更小、更高效的功率轉換系統(tǒng)。與硅基解決方案相比，Wolfspeed碳化硅技術能夠提高系統(tǒng)功率密度、提高開關頻率、縮小設計、降低元件溫度、減小電感、電容、濾波器和變壓器等元件的尺寸，并降低整體成本。

C2M0045170D的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：18 ns

正向跨導 - 最小值：21.7 S

Id-連續(xù)漏極電流：72 A

最大工作溫度：+ 150°C

最小工作溫度：- 40°C

安裝風格：Through Hole

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-247-3

封裝：Tube

Pd-功率耗散：520 W

產品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：188 nC

Rds On-漏源導通電阻：45 mOhms

上升時間：20 ns

工廠包裝數(shù)量：30

子類別：Transistors

技術：SiC

晶體管極性：N-Channel

典型關閉延遲時間：48 ns

典型接通延遲時間：65 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：1.7 kV

Vgs - 柵極-源極電壓：- 5 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：2 V

單位重量：6 g

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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