SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET，采用小型TO-263-7封裝。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關速度。

SCT3160KWATL的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiC

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A（Tj）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：208 毫歐 @ 5A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 2.5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：42 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：398 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作溫度：175°C（TJ）

等級：-

資質：-

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：TO-263-7LA

封裝/外殼：TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA

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