NVBG032N065M3S EliteSiC 650V M3S MOSFET采用全新的技術(shù)，與硅相比，可提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外，低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和低柵極電荷。因此，系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括最高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統(tǒng)尺寸。

產(chǎn)品屬性：

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：52 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：44 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：55 nC

封裝 / 箱體：D2PAK-7

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：200 W

通道模式：Enhancement

商標(biāo)：onsemi

配置：Single

下降時(shí)間：9 ns

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：12 ns

系列：NVBG032N065M3S

技術(shù)：SiC

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