SCT3060ARC14 N-通道 SiC（碳化硅）功率MOSFET。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：39A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：78 毫歐 @ 13A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 6.67mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：58 nC @ 18 V

Vgs（最大值）： +22V，-4V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：852 pF @ 500 V

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）：165W

工作溫度： 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4L

封裝/外殼：TO-247-4

應(yīng)用

太陽能逆變器

直流/直流轉(zhuǎn)換器

開關(guān)模式電源

感應(yīng)加熱

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

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