SCT3030AW7TL是650V 70A的Nch SiC功率MOSFET。采用溝槽結(jié)構(gòu)，降低了導(dǎo)通電阻。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：70A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 39 毫歐 @ 27A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 13.3mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：104 nC @ 18 V

Vgs（最大值）： +22V，-4V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1526 pF @ 500 V

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 267W

工作溫度： 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： TO-263-7

封裝/外殼： TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

基本產(chǎn)品編號：SCT3030

特點：

低導(dǎo)通電阻  

開關(guān)速度快  

快速的反向恢復(fù)  

易于并聯(lián)  

驅(qū)動簡單 無鉛電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

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